인텔과 마이크론이 공동으로 34nm NAND 플래시 메모리 양산을 발표

Intel과 Micron은 오늘 합작 연구개발을 통해 만든 34nm 공정의 낸드 플래시 메모리가 벌써 양산 과정에 돌입했다고 밝혔습니다. 이것은 업계 최초로 나오는 40나노 이하의 낸드 플래시 메모리가 되는 셈입니다.

이러한 MLC 복층형식의 NAND 플래시 메모리 칩은 Intel, Micron 이 합작 투자한 IM Flash Technologies에서 생산이 되며, 300mm 웨이퍼에서 만들어 자르는 형식이고, 코어의 면적은 172㎟ 으로 같은 종류의 제품들중 가장 작은 크기 입니다. 또한 코어 칩이 갖는 용량은 32Gb 이며, 1개의 웨이퍼에서 대략 1.6TB의 용량 칩이 나오게 된다고 합니다.그 밖에  표준 48핀TSOP(Thin Small Out-Line Package) 방식으로 패키징 했으며, 이런 칩은 대용량의 낸드 플래시 메모리 장비를 제조할떄 더 수월하다고 합니다. 예를 들면 두개의 8모듈 칩을 가지고 손쉽게 64G 제품을 만들 수가 있는 것입니다.

Intel은 이러한 34nm 32Gb NAND 플래시 메모리칩은 SSD를 위해 제작된 설계라면서, 보다더 고용량을 실현 시킬수 있고, 크기는 더욱 작게, 가격도 더욱 저렴해 진다고 밝혔습니다.

이 칩의 샘플은 내년 6월에 공급할 예정이며, 좀더 일찍 대량 양산에 투입 될 수도 있다고 했습니다.

驱动之家[原创] 作者：上方文Q 编辑：上方文Q　2008-11-25 01:53:26