인텔 12월 32nm SRAM 전시

올해 12월14일, 제54회 IEEE 전자 설비 박람회가 샌프란시스코에서 개막 됩니다. 이미 제공된 논문에서 간단하게 소개해 드리자면,  인텔은 이번 박람회에서 샘플로 제작한 32nm 공정의 생산품을 전시 한다고 합니다.

보도에 의하면, Intel은 이미 성공적으로 32nm 공정을 사용하여, 291Mbit SRAM 을 만들어 냈다고 합니다. 
총 20억개의 트랜지스터로 이루어 졌고, 각각의 저장유닛의 면적은 0.171 평방 미크론 이라고 합니다.
작동클럭은 3.8GHz 이며，전압은 1.1V 입니다.

Intel은 앞으로 32nm 공정에서 처음으로 액침 노광 기술(Immersion Lithography) 을 사용한다고 합니다. 그리고, 여전히 193nm deep-UV의 노광(lithography) 기술로 니콘(Nikon)설비에서 제조될 것입니다.  그 밖에 Intel은 32nm 공정에서 2세대 High-K 금속 게이트 기술을 사용한다고 합니다. 여기엔 스트레인드 실리콘(Strained Silicon) 채널 및 9레벨Low-K 절연기술 등등 신기술이 사용됩니다.


지난 관련글 : 2008/08/19 - IBM이 업계 최초로 22nm SRAM 을 완성, Intel의 강력한 맞수
(IBM은 이때 22nm SRAM을 전시한다고 합니다.)

驱动之家[原创] 作者：Skyangeles 编辑：Skyangeles　2008-10-29 17:32:18
or
http://www.cpu3d.com/news/6396-1/intel-to-roll-32-nm-process-at-iedm/story.html