UMC 28nm 공정으로 SRAM 시험제조 성공

대만의 UMC 회사는 그저께 업계 최초로 28nm 공정의 SRAM 을 성공적으로 생산해 냈다고 밝혔습니다.  반도체 업계에서 SRAM은 신공정이 생기면 흔히 제일 처음 만들어 보는 반도체중 하나입니다. 이로써, 28nm SRAM의 성공적인 실험 생산으로 UMC는, 28nm 제조공정 기술을 입증해 보이게된 셈이기도 합니다.

UMC의 28nm SRAM은 이회사에서 자체 개발한 LL저누전(低漏電) 제조공정 기술 입니다.  여기엔 double patterning 방식의 액침 노광 기술(Immersion Lithography) 과 Strained Silicon 기술이 사용되어 제조된 것으로,  6개의 트랜지스터로 이루어진 SRAM 하나의 크기는 0.122 평방 미크론 라고 합니다.

UMC는 28nm 제조공정을 응용할때,  시장의 수요에 따라 두가지 버전의 게이트 기술을 사용할수 있다고 합니다.
예를 들면, 휴대전화 같은데에 쓰일 칩을 제조할땐, UMC는 LL저누전 기술을 사용하는데, 여기엔 기존의 전통적인 실리콘 게이트 기술인, 질소산화실리콘 게이트 산화층 기술이 이용됩니다.  그리고 파운드리에서 가장 중요하게 여겨지는 GPU나 프로세서를 제작할 때엔,  High-K 메탈 게이트 기술을 이용한다고 합니다.

UMC는 현재 300mm 웨이퍼 공장을 운영하고 있으며,  28nm 제조공정으로 제작된 상품은  40nm에 비해서 밀도가 두배나 높다고 밝혔습니다.  또한 이들은 28nm 플랫폼 에서 고객들을 위해 32nm 제조 공정도 서비스 할 예정이라고 합니다.

驱动之家[原创] 作者：Skyangeles 编辑：Skyangeles　2008-10-28 15:39:01