실리콘 썸네일형 리스트형 UMC 28nm 공정으로 SRAM 시험제조 성공 대만의 UMC 회사는 그저께 업계 최초로 28nm 공정의 SRAM 을 성공적으로 생산해 냈다고 밝혔습니다. 반도체 업계에서 SRAM은 신공정이 생기면 흔히 제일 처음 만들어 보는 반도체중 하나입니다. 이로써, 28nm SRAM의 성공적인 실험 생산으로 UMC는, 28nm 제조공정 기술을 입증해 보이게된 셈이기도 합니다. UMC의 28nm SRAM은 이회사에서 자체 개발한 LL저누전(低漏電) 제조공정 기술 입니다. 여기엔 double patterning 방식의 액침 노광 기술(Immersion Lithography) 과 Strained Silicon 기술이 사용되어 제조된 것으로, 6개의 트랜지스터로 이루어진 SRAM 하나의 크기는 0.122 평방 미크론 라고 합니다. UMC는 28nm 제조공정을 응용할때.. 더보기 종이위에 트랜지스터를 만드는 것이 실현됨 포르투칼 리스본의 연구원이 며칠전 처음으로 종이위에서 트랜지스터를 만드는 것을 실현 시켰습니다. (FET) 저원가를 위해 고분자 바이오메카트로닉스를 응용하는 새로운 사고방식 입니다. 소식에 의하면，섬유소는 지구상의 가장 중요한 바이오고분자물 이며, 비록 이전에 많은 국제 연구단들이 종이를 물리적 전자설비의 밑바탕으로 쓰는걸 성공 했었지만, 아직까지 종이위에다 트렌지스터를 구현하지는 않았었습니다. 이번 연구원은 종이속 밑바닥에 전계효과트렌지스터(FET) 을 구현 한것입니다. 이러한 신형 트렌지스터의 성능은 " 실리콘 대신 산화물(Oxide) 박막트렌지스터(TFT) " 의 성능과 똑같으며, 완전한 테스트를 거쳐서 9월경에 《IEEE 미국전기전자학회》에 발표할 예정입니다. 驱动之家[原创] 作者：Kaiputer.. 더보기 이전 1 다음
