DDR3 플랫폼 AM3 로 바꿈

데네브 920 쓰다가  이번에 DDR3 메인보드가 좋아보여서 

MSI 770-c45 와 헤카 710 으로 바꾸었습니다. 

데네브 920이 DDR2까지만 지원을 하는 바람에 ㅠㅠ......바꾸었습니다.

CPU의 오버폭은 체감상 예전에 쓰던 데네브 920과 크게 다르지 않네요.....

역시 같은 코어라 ㅋㅋㅋ

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아무튼 DDR3-10600U 2기가 x 2 입니다. 1333MHz의 클럭을 가지고 있어서 

일단 클럭 자체만 봐도 DDR2에서는 넘지 못하던 벽을 넘은 느낌이 듭니다.
대충 오버하고 인텔번 20회 돌파한 바이오스정보를 저장해 뒀다가 메모리 타이밍과 클럭이 얼마나 오버클럭이 되는지 알아보았습니다. 


먼저 삼성 DDR3는 예전에 DDR1때 처럼 무조건 T1 가 가능함.

 

요건 CPU 클럭을 어느정도 올린후 메모리 클럭을 올린 결과 입니다.
램 타이밍은  8-9-9-9-24-34-T1 인데
tRAS 부분 24는 메인보드에서 설정이 불가능 했습니다.
tRFC는 160ns 입니다.

기존에 DDR2 쓸때는 192ns 정도 풀어줘야 했지만 DDR3는 160ns에 700MHz 를 먹어주네요.

이건 메모리 클럭을 최대한 높인 겁니다. 대충 올려봐서 더 올라가는진 모르겟지만..
램타이밍 cl10 으로 풀고 835까지 올려봤습니다. 삼성의 DDR3는 50나노 공정이라 그런지 오버폭이 꽤 높네요. 다른데서 보면 1000MHz 도 넘기는 램도 있을 정도 니깐요...

하지만 TRFC는 300ns 로 풀어줬습니다. 160ns로는 부팅조차 안되더군요.

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DDR3 는 기본적인 오버클럭만 해도 DDR2의 극오버를 가볍게 뛰어넘는 성능을 보여주며
전압도 낮아서 DDR2때에 비해 발열도 꽤 감소시켰습니다.
 
반응속도를 보면
읽기 쓰기 복사 속도는 DDR2 극오버 만큼 비슷한것 같네요.

한마디로 이런걸 램이 쫄깃하다는 표현이 딱 맞겟습니다.

그런데 DDR3 클럭이 아무리 좋아도 DDR2랑 너무 큰차이가 나는것이 아닌 이유가 바로 노스브릿지 클럭 때문 입니다.

일단 DDR2 를 쓰던 DDR3를 쓰던 노스브릿지 클럭이 높을수록 램성능이 좋게 나오거든요. 

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맨 위에 올린 첫 스샷 설정값에서 HTT-NB클럭만 올려봤습니다.

이 클럭값을 올리기 위해서는 별도의 전압옵션이 필요합니다.
MSI 770-C45의 바이오스 메뉴를 기준으로 설명하자면,
CPU-NB 전압 항목은 노스브릿지 클럭에 관련된 전압이고, 
HTT전압과, NB전압 두개의 항목은 HTT클럭에 관련된 전압입니다.

3가지 항목에 추가로 전압을 주어야 오버클럭이 됩니다.

NB클럭과 HTT클럭을 동시에 올려줌으로 레이턴시가 53.0ns에서 50.5ns가 된걸 볼 수 있습니다. 

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이번엔 따로 가지고 있는 DDR3-1기가 단면램 10600U 두개를 장착하고 
위 설정과 동일한 바이오스 설정값에 메모리만 바꾼후 tRFC만    
160ns에서 110ns로 램타이밍을 쪼였습니다.

위와 같은 설정값이지만 tRFC의 차이로 50.5ns에서 또다시 49.1n로 낮아 졌네요. 

이정도면 충분히 빠르게 메모리를 활용한다고 할 수 있습니다.

레이턴시를 봐서는 다소 클럭이 낮더라도 먼저 TRFC 110ns 범위 내에서 오버클럭 하는게 가장 좋다고 생각이 듭니다.

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