MIT 에서 리소그라피 기술로 25nm 공정을 성공 해냄

MIT 의 연구원들이 25nm 반도체 기술의 새 지평을 열었습니다. 게다가 사용한 방식은 현재 가장 보편적으로 쓰이고 있는 193nm 원자외선(DUV) 리소그라피 (사전*) 기술 입니다. 이말은 곧 반도체 회사들이 굳이 더비싸고 복잡한 13.5nm 극자외선(EUV) 리소그라피 기술 로 갈아탈 필요가 없다는것 이겟습니다.

DUV 리소그라피 기술은 1995년 부터 사용되기 시작 했습니다.
일찍이 지난 세기 90년대말 사람들은 이 기술에 대해 2003년 정도면 이기술도 한계가 있어
끝이라고 여겨왔습니다. 100nm 공정에서 부터는 EUV 라소그라피 기술을 사용해야 한다고 여겨져 왔지만，기술자들의 노력끝에 현재는 45nm 공정에서도 여전히 DUV 가 쓰이고 있습니다.
Intel、IBM、AMD 등등 에서는 현재 적극적으로 EUV 기술도 실험하고 있고요.
이것은 앞으로 2013년에 있을 16nm 공정 도입시기에 기존의 한계를 극복하려 투입하는 대체 기술입니다.

IBM과 Intel이 22nm 공정을 돌파하려 박차를 가하는 시기에，MIT의 이렇한 성과는 좀처럼 믿기지 않습니다. MIT의 보고에 의하면，연구원들은 이미 Interference lithography (or holographic lithography*) 기술을 사용하여 25nm 라인을 제조하는데 성공했습니다. 리소그라피 인쇄 과정은 더이상 문제가 아닙니다. 가장큰 최대의 문제점은 원자재 의 보급 입니다. 현재 쓰고있는 재료 상황은 라인의 측벽(sidewall)을 제조하는데 너무 조잡하고 그보다 더 좋게 제조할 방법이 없다는 것입니다.  이것이 공정을 축소하여 발생되는 가장큰 장애 입니다.

이렇한 상황에서도，연구원들은 여전히 미래에 대해 자신감이 충만합니다. 연구원들은
 “리소그라피 는 아직도 더 발전할수 있는 공간이 아주 많이 남아있습니다. 또한 장애물이 없이는 발전도 없는겁니다." 라고 말한다고 합니다.

마지막으로 여기에서 사용된 Interference lithography 기술에 대해 말하자면.
이러한 기술의 결점으로 꼽을수 있는것이 바로 규칙적인 배열의 패턴 만 제조가 가능하다는 겁니다.
만약 임의적 형태인 패턴의 복잡한 칩은 만들어낼 수가 없다는 것입니다.
반대로 장점으로는 규칙적인 패턴의 생산속도는 아주 빠릅니다.
사실상 아직 수많은 칩들은 규칙적인 패턴으로 만들어 집니다.
MIT 는, 그들의 기술을 “장차 차세대 컴퓨터 저장매체、집적회로칩 및 고급태양 에너지 전지 등등의 설비에 지평을 열었다.” 라고 여긴다 합니다.
보아하니 MIT 의 말이 맞습니다. 이렇한 신기술의 응용범위는 정말 광범위 합니다.
하지만  생각해볼때 복잡한 패턴의 프로세서같은 부분에 쓰이기에는 역부족으로 보입니다.

驱动之家[原创] 作者：上方文Q 编辑：上方文Q　2008-07-09 10:17:59